NEXUS

DDR4メインメモリ インターポーザ

DDR4メインメモリ インターポーザ

ダブルデータレート第4世代(DDR4)メインメモリ技術は、JEDEC(Joint Electronic Devices Engineering Council)によって、大容量メモリを必要とするサーバ、ワークステーション、高性能ポータブルアプリケーション用に開発されました。

Nexus Technologyは、高品質かつ高忠実度のインターポーザーを提供し、業界がデバッグとコンプライアンス検証のためにDDR4メインメモリバスへのアクセスを確実かつ正確に行えるようにします。

パッケージ/モジュール

DDR4メインメモリは、標準のBGA(Ball-Grid-Array)コンポーネントパッケージと、DIMMおよびSODIMMのデュアルインラインメモリモジュールが用意されています。標準のBGAパッケージはプリント基板(PCB)に直接はんだ付けされ、モジュールはDIMMとメイン基板間の標準接続の標準PCBフォーマットで一連のパッケージから構成されています。インターポーザーは、コンポーネントパッケージとDIMMおよびSODIMMモジュールの両方に使用できます。

DIMMインターポーザ

モジュールタイプ MA41x0 アナライザーインターポーザー MSO インターポーザー
DIMM
SODIMM

コンポーネントインターポーザ

インターポーザ オプション
オシロスコープ MA機器
パッケージ ボール EdgeProbe™ Direct Attach Target Socketed Target Socketed ライザー コンポーネント ソケット
x4/x8 78 ✓(XH) ✓(XH) ✓(XH)   Yes Yes
x16 96 ✓(XH) ✓(XH) ✓(XH)   Yes Yes
x32 144    *  *  *  No  Yes
カスタム カスタム設計も可能です。お問い合わせください。

* 必要なものが見当たらない場合は、弊社までお問い合わせください。

XHシリーズ

Nexus TechnologyのXHシリーズインターポーザは、EdgeProbe™およびDirect Attachタイプのメモリ部品インターポーザに新しい機能強化をもたらし、インターポーザパス全体のシグナルインテグリティを維持するとともに、最先端のメモリ技術および新興メモリ技術の両方に非常に高い忠実度のオシロスコーププローブポイントを提供します。

アタッチメントサービス

Nexus Technologyの専門家によるアタッチメントサービスは、お客様のアプリケーションに合わせてカスタマイズされた、すぐに使えるテストソリューションを提供します。インターポーザーとその他の付属品をお客様のアプリケーションのターゲットに装着します。また、お客様のアプリケーションの電源を入れ、機能を確認するためのテストも行います。

電気的解析

EdgeProbe、High Density、Socketedのいずれかのインターポーザを使用して、メモリの動作をオシロスコープに取り込むことで、電気的解析を行うことが可能です。オシロスコープは、デザインのアナログ特性をデバッグ、解析、検証するために使用されます。オシロスコープにテスト中の信号を正確に表示することは、非常に重要です。Nexusインターポーザは、オシロスコープに控えめな相互接続と正確な信号を提供します。

ロジック・コンプライアンス解析

ロジック解析は、ロジック/コンプライアンスインターポーザを使用して、ロジックアナライザまたはメモリアナライザでメモリアクティビティをキャプチャして実行されます。ロジックアナライザまたはメモリアナライザは、デザインのロジック(基本プロトコル)をデバッグ、解析、検証するために使用されます。コンプライアンス解析では、同じインターポーザを使用して、メモリ・アナライザでアクティビティをキャプチャします。メモリアナライザは、メモリプロトコルのデバッグ、解析、マージンテスト、パフォーマンス解析、および検証に使用されます。

関連記事

  1. NEXUS Technology
  2. DDR5メインメモリ インターポーザ
  3. フラッシュメモリインターポーザ
  4. LPDDR5 モバイルメモリ インターポーザ
  5. DDR3メインメモリ用インターポーザ
  6. LPDDR2 モバイルメモリインターポーザ
  7. LPDDR3 モバイルメモリインターポーザ
  8. DDR2メインメモリ用インターポーザ

関連商品

  • フラッシュメモリインターポーザフラッシュメモリ技術は、ONFI(Open NAND Flash Interface)業界ワークグループとJEDEC(Joint Electronic Devices Engineering Council)により、携帯機器や低消費電力と小型化が重要なアプリケーションで使用するために定義されています。
  • DDR2メインメモリ用インターポーザダブルデータレート第2世代(DDR2またはDDRII)メインメモリ技術は、大容量メモリを必要とするサーバー、ワークステーション、高性能ポータブルアプリケーションで使用するためにJEDEC(Joint Electronic Devices Engineering Council)が開発したものです。
  • DDR3メインメモリ用インターポーザDDR3 (Double-data rate Third-generation) メインメモリ技術は、JEDEC (Joint Electronic Devices Engineering Council) によって、大容量メモリを必要とするサーバー、ワークステーション、高性能ポータブルアプリケーション用に開発されました。
  • DDR4メインメモリ インターポーザダブルデータレート第4世代(DDR4)メインメモリ技術は、JEDEC(Joint Electronic Devices Engineering Council)によって、大容量メモリを必要とするサーバ、ワークステーション、高性能ポータブルアプリケーション用に開発されました。
  • DDR5メインメモリ インターポーザダブルデータレート第5世代(DDR5)メインメモリ技術は、大容量メモリを必要とするサーバー、ワークステーション、高性能ポータブルアプリケーションで使用するためにJEDEC(Joint Electronic Devices Engineering Council)によって開発されたものである。
  • LPDDR2 モバイルメモリインターポーザLPDDR2 (Low Power Double Data Rate Second Generation) モバイルメモリ技術は、JEDEC (Joint Electronic Devices Engineering Council) により、携帯機器や低消費電力と小型化が不可欠なアプリケーション向けに開発されました。
  • LPDDR3 モバイルメモリインターポーザLPDDR3 (Low Power Double Data Rate Third Generation) モバイルメモリ技術は、JEDEC (Joint Electronic Devices Engineering Council) によって、低消費電力と小型化が不可欠な携帯機器やアプリケーション向けに開発されたものです。
  • LPDDR4 モバイルメモリインターポーザ低消費電力ダブルデータレート第5世代(LPDDR5およびLPDDR5X)モバイルメモリ技術は、JEDEC(Joint Electronic Devices Engineering Council)によって、携帯機器や低消費電力と小型化が不可欠なアプリケーションで使用するために開発されました。
  • LPDDR5 モバイルメモリ インターポーザ低消費電力ダブルデータレート第5世代(LPDDR5およびLPDDR5X)モバイルメモリ技術は、JEDEC(Joint Electronic Devices Engineering Council)によって、携帯機器や低消費電力と小型化が不可欠なアプリケーションで使用するために開発されました。
  • NEXUS Technology
PAGE TOP